1.EMI（電磁干擾）
無(wú)線電波和高頻電磁波沖擊電子設(shè)備，以及施加影響的電磁波。
導(dǎo)電噪聲：通過(guò)電纜和電路板布線傳輸?shù)脑肼?br />
>差分（正常）模式噪聲：與電源線之間的電流方向相同的
噪聲>共模噪聲：通過(guò)雜散電容等的噪聲金屬外殼
等返回信號(hào)源 -
輻射噪聲：通過(guò)空氣發(fā)出的噪聲
2·EMS（電磁敏感性）
即使存在
電磁波干擾和干擾（EMI：導(dǎo)電噪聲和輻射噪聲），也能抵抗或避免損壞。
3·EMC（電磁兼容性）
EMI + EMS。排放對(duì)策和免疫措施
作為EMI，與通路相關(guān)的是傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲; 根據(jù)傳播方式，導(dǎo)電噪聲進(jìn)一步分為差分噪聲和共模噪聲。上面的內(nèi)容有點(diǎn)粗糙，但是提前必須知道的低限度。
EMI對(duì)策
當(dāng)開(kāi)關(guān)電源電路的EMI影響其他電路時(shí)，采取EMI對(duì)策。本質(zhì)上，用于阻抗匹配或用作旁路/濾波器元件的電容器或電阻器 - 電容器電路被添加到切換大電流的節(jié)點(diǎn)和線路。
1）C12，R17：RC緩沖器添加到輸出整流二極管
與輸入緩沖器一樣，這些組件可減少開(kāi)/關(guān)切換期間出現(xiàn)的尖峰。請(qǐng)參考此 有關(guān)輸入緩沖器的信息。C12在500V時(shí)設(shè)置為1000 pF，R17設(shè)置為約10Ω，1 W。
2）C10：
在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間添加Y電容器在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的地之間添加稱為Y電容器的電容器。這是通過(guò)隔離變壓器的繞組上的電容減小初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)噪聲在次級(jí)側(cè)引起的共模噪聲的一種典型方法。Y電容器的額定電壓必須等于變壓器的絕緣電壓。選擇約2200pF的電容。
3）C11：在MOSFET Q1 的漏極和源極之間添加電容器有一種方法是在MOSFET 的漏極和源極之間添加一個(gè)電容器，以減少由于高速開(kāi)關(guān)引起的關(guān)斷時(shí)的浪涌。這也是一種緩和。但是，會(huì)導(dǎo)致更大的損失，因此必須注意溫度的升高。這里，使用耐壓為1kV的10至100pF電容器。
輸出噪聲對(duì)策
當(dāng)然，開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓包括波紋，這取決于開(kāi)關(guān)頻率; 此外，還存在源自諧波，電感和電容的噪聲。當(dāng)這樣的噪聲分量成為問(wèn)題時(shí)，在輸出中添加LC濾波器是有效的。
從10μH的電感L和大約10到100μF的C10開(kāi)始，在觀察噪聲分量的同時(shí)調(diào)整這些值。
以上是噪聲的主要對(duì)策，有必要測(cè)量噪聲并確認(rèn)噪聲對(duì)其他設(shè)備的影響，為了進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑肼暅y(cè)量，測(cè)量環(huán)境和測(cè)量設(shè)備是必不可少的。當(dāng)不能進(jìn)行這樣的定量測(cè)量時(shí)，仍然可以通過(guò)設(shè)備的S / N比來(lái)確定噪聲是否對(duì)性能有影響。
這里描述的措施是用于電源電路配置的對(duì)策。噪聲的出現(xiàn)還與電路板布局，元件布置，元件性能等有關(guān)。在某些情況下，可能需要將LC濾波器從簡(jiǎn)單的L型擴(kuò)展為π型或T型，或者為電路板提供屏蔽，或以其他方式修改設(shè)計(jì)。
此外，根據(jù)設(shè)備規(guī)格，例如應(yīng)滿足國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)（CISPR）制定的標(biāo)準(zhǔn)或其他一些噪聲相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)必須符合標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，從設(shè)計(jì)階段就牢記這些事項(xiàng)是非常重要的。
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