問：為什么ESD目標級工業(yè)委員會提倡使用類似SPICE的電路模擬來評估系統(tǒng)級的ESD可靠性？
答：這是一種省時的選擇，可以先找出ESD資格測試時出現(xiàn)的問題，然后通過低效的試錯程序來糾正這些問題。利用電路仿真對系統(tǒng)ESD可靠性進行虛擬樣機設計，稱為系統(tǒng)高效ESD設計，或SEED。
問：系統(tǒng)級ESD模擬的障礙是什么？
答：微電子元器件供應商一般不提供其零部件的ESD型號。
問：有沒有提出解決辦法？
答：有人認為，經(jīng)驗模型可以適用于TLP(傳輸線脈沖)I-V測量數(shù)據(jù)[1]。
問：這些經(jīng)驗模型是如何分類的？
答：大多數(shù)是分段線性模型。還研究了更先進的非線性模型，如遞歸神經(jīng)網(wǎng)絡。
為了模擬系統(tǒng)級ESD，必須模擬沿放電路徑的所有微電子元件；這些元件可能包括瞬態(tài)電壓抑制器、鐵氧體扼流圈或其他離散元件。本文主要研究集成電路元件。如果以合理的精度模擬集成電路引腳處的靜電感應電壓和電流波形，就可以檢查該部件是否會被驅(qū)動到其安全工作區(qū)域之外，還是會發(fā)生熱故障。這種分析足以確定集成電路在ESD資格測試中是否會避免硬故障。
元件對ESD的響應通常用傳輸線脈沖(TLP)測試來評估。脈沖I-V曲線應在電源和電源狀態(tài)下測量，這就要求被測試的設備，即IC，安裝在帶有電源的測試板上。參考文獻，包含一個測試板設計示例。通常，脈沖I-V曲線適合于分段線性模型.生成的模型是靜態(tài)模型，因為I-V曲線不能提供被測設備的動態(tài)響應信息。
如果集成電路的瞬態(tài)響應是線性的，那么在原則上，靜態(tài)模型可以用S參數(shù)測量得到的瞬態(tài)模型來擴展。在許多情況下，集成電路的瞬態(tài)靜電放電響應主要由封裝的寄生電感和電容元件控制。在這種情況下，可能不需要做任何測量來獲得瞬態(tài)模型，因為許多IC供應商提供的IBIS模型包括對包的描述。從TLP測量得到的分段線性模型和RLC封裝模型可以連接在一起，形成一個完整的ESD組件模型[7]，如圖1所示。
一個由靜態(tài)I-V模型和封裝模型組成的組件模型很好地預測了集成電路對tlp測試儀產(chǎn)生的方型電流脈沖的瞬態(tài)響應，但不是全部。這一發(fā)現(xiàn)表明，片上半導體器件的動態(tài)非線性響應并不總是被封裝阻抗的動態(tài)響應所掩蓋。
在測量數(shù)據(jù)的基礎上建立芯片對靜電放電動態(tài)響應的精確模型，即封裝的集成電路對ESD型電流脈沖的瞬態(tài)響應是非常困難的，部分原因是當集成電路安裝在電路板上時，無法精確地將探針放置在IC輸入端。IC設計人員可以更容易地創(chuàng)建組件ESD模型。
設計者的模型將包括芯片Netlist，以及設備的緊湊模型；例如，IC供應商不愿意向他們的客戶提供這類模型，因為這些模型可能會披露知識產(chǎn)權(IP)。準確的瞬態(tài)模型能否被重新表示為IP模糊行為模型是值得考慮的問題。其中一個候選模型是遞歸神經(jīng)網(wǎng)絡。
遞歸神經(jīng)網(wǎng)絡(RNN)是非線性狀態(tài)空間系統(tǒng)的一種通用逼近器，這類系統(tǒng)由常微分方程描述。RNN特別適合處理時間序列數(shù)據(jù)，例如實驗室儀器或電路模擬器提供的數(shù)據(jù)。IC IO引腳的RNN模型
輸入，u，可以是電流或電壓，以及輸出，y是另一個量，即電壓或電流。WrWuWy , bu 和by是模型參數(shù)。x 表示系統(tǒng)的內(nèi)部狀態(tài)。例如，如果被建模的系統(tǒng)是單個二極管，則變量映射可能是電壓為u，存儲電荷x，以及當前的y。實際上，用戶沒有指定從物理量到RNN模型內(nèi)部狀態(tài)的映射；相反，內(nèi)部狀態(tài)是從數(shù)據(jù)中“學習”出來的，不需要與可識別的物理量相對應。圖2提供了RNN的圖像視圖。
RNN模型可以在Verilog-A中實現(xiàn)，然后使用ADS、HSPICE和譜等商用電路模擬器進行仿真。
為了說明瞬態(tài)行為建模的可行性，通過對全芯片ESD保護網(wǎng)絡的Netlist進行仿真，生成訓練數(shù)據(jù)。利用這些數(shù)據(jù)，利用開源優(yōu)化軟件建立了電路的RNN模型.圖3顯示了使用電路的Netlist描述和RNN模型獲得的仿真結(jié)果。與行為模型相關的誤差很小，小于3%。應該注意的是，在圖3的模擬中應用于電路的刺激沒有包括在訓練數(shù)據(jù)中。重要的是要證明一個行為模型是可概括的，也就是說，它預測正確的行為對以前看不見的刺激作出反應。
stimuli
雖然瞬態(tài)行為模型的好處是顯而易見的，但是需要做更多的工作來確定RNN是否是最適合表示組件的ESD響應的模型。雖然RNN被認為是一個“通用”模型，但它存在一些困難，例如，必須確保所學習的網(wǎng)絡對于所有輸入刺激都是穩(wěn)定的。
TLP提供了一個單端口的I-V測量，因此從TLP測量數(shù)據(jù)中提取的模型是一個單端口模型。需要注意的是，在IC引腳處測量到的脈沖I-V曲線不僅描述了IC，而且還描述了IC和板級電流路徑的綜合效應。流入IC的IO引腳的電流按受板級電力傳輸網(wǎng)絡(PDN)的阻抗影響的比例在可能的返回路徑之間劃分。
因此，如圖4所示，在IC引腳上測量的I-V特性受板PDN阻抗的影響。如果用組件的多端口ESD模型代替現(xiàn)在使用的單端口模型，則可以在仿真中捕捉到系統(tǒng)電路板的全部效果。即使PDN阻抗太低，板對被測I-V的影響也是可以忽略的，軟失效分析可能需要一個多端口的集成電路模型。
在資格測試中，大約一半的系統(tǒng)級ESD故障是軟故障。其中許多故障是由于IO引腳上出現(xiàn)的噪音(“小故障”)造成的，這是連接線或封裝痕跡之間磁耦合的結(jié)果[12]。時域電磁模擬器可以進行噪聲耦合分析.假設ESD電流主要以信號引腳進入IC；片上保護網(wǎng)絡將ESD電流分流回封裝(然后是板)。
因此，芯片上的電路決定了封裝鍵合線或軌跡的組合構成了返回路徑，而封裝級的噪聲耦合模擬應該能夠理解芯片的效果。EM模擬器不能提供這樣的功能，但是可以使用混合電磁電路模擬器.在[13]中，Speed 2000模擬器被用來模擬ESD誘導的噪聲耦合到集成電路封裝內(nèi)的信號線上；示例結(jié)果如圖5所示。
在過去的5到6年中，工業(yè)界和大學的研究人員已經(jīng)在系統(tǒng)級ESD模擬方面取得了最新進展，本文對其中的一些活動進行了概述。要建立可重復和準確的方法來描述組件對系統(tǒng)級ESD的響應，并就最合適的模型結(jié)構達成共識，還有許多工作要做。
